As principais diferenças entre wafers de silício monocristalino tipo N e tipo P para energia solar fotovoltaica
As principais diferenças entre wafers de silício monocristalino tipo N e tipo P para energia solar fotovoltaica
Os wafers de silício monocristalino têm propriedades físicas de quase-metais, com fraca condutividade, e sua condutividade aumenta com o aumento da temperatura. Eles também têm propriedades semicondutoras significativas. Ao dopar wafers de silício monocristalino ultrapuros com pequenas quantidades de boro, a condutividade pode ser aumentada para formar um semicondutor de silício tipo P. Da mesma forma, a dopagem com pequenas quantidades de fósforo ou arsênico também pode aumentar a condutividade, formando um semicondutor de silício tipo N. Então, quais são as diferenças entre os wafers de silício tipo P e tipo N?
As principais diferenças entre os wafers de silício monocristalino tipo P e tipo N são as seguintes:
Dopante: No silício monocristalino, a dopagem com fósforo torna-o do tipo N, e a dopagem com boro torna-o do tipo P.
Condutividade: o tipo N é condutor de elétrons e o tipo P é condutor de buracos.
Desempenho: Quanto mais fósforo é dopado no tipo N, mais elétrons livres existem, mais forte é a condutividade e menor é a resistividade. Quanto mais boro é dopado no tipo P, mais buracos são gerados pela substituição do silício, mais forte é a condutividade e menor é a resistividade.
Atualmente, os wafers de silício tipo P são os principais produtos da indústria fotovoltaica. Os wafers de silício tipo P são simples de fabricar e têm baixo custo. Os wafers de silício do tipo N normalmente têm vida útil mais longa dos portadores minoritários, e a eficiência das células solares pode ser aumentada, mas o processo é mais complicado. Os wafers de silício tipo N são dopados com fósforo, que tem baixa solubilidade com o silício. Durante a trefilação da haste, o fósforo não é distribuído uniformemente. Os wafers de silício tipo P são dopados com boro, que possui um coeficiente de segregação semelhante ao do silício, e a uniformidade da dispersão é fácil de controlar.